課程名稱：【寬能隙半導體技術】
當學期所開設課程
| 課號 | 班次 | 課名 | 學分數 | 全半年 | 授課教師 | 時間(教室) |
|---|
往年所開設課程
| 開課年度 | 課號 | 班次 | 課名 | 學分數 | 全半年 | 授課教師 | 時間(教室) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 99-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 99-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 99-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 99-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 99-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 99-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 98-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 98-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 98-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 98-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 98-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 98-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 97-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理212) | |
| 97-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理212) | |
| 97-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理212) | |
| 97-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理212) | |
| 97-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理212) | |
| 97-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理212) | |
| 96-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理212) | |
| 96-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理212) | |
| 96-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理212) | |
| 96-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理212) | |
| 96-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理212) | |
| 96-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理212) | |
| 95-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 95-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 95-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 95-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 95-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 95-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 95-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 95-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 94-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 94-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 94-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 94-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 94-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 94-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 94-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 94-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 | |
| 93-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三678 | |
| 93-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三678 | |
| 93-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三678 | |
| 93-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三678 | |
| 93-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三678 | |
| 93-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三678 | |
| 93-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三678 | |
| 93-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三678 | |
| 112-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 三234 (電二225) | |
| 112-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 三234 (電二225) | |
| 111-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 三234 (電二225) | |
| 111-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 三234 (電二225) | |
| 110-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 三234 (電二225) | |
| 110-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 三234 (電二225) | |
| 110-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 三234 (電二225) | |
| 110-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 三234 (電二225) | |
| 109-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 五234 (電二104) | |
| 109-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 五234 (電二104) | |
| 109-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 五234 (電二104) | |
| 109-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 五234 (電二104) | |
| 108-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 五234 (電二104) | |
| 108-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 五234 (電二104) | |
| 108-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 五234 (電二104) | |
| 108-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 五234 (電二104) | |
| 107-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 四234 (電二455) | |
| 107-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 四234 (電二455) | |
| 107-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 四234 (電二455) | |
| 107-2 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 四234 (電二455) | |
| 106-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 四234 (電二455) | |
| 106-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 四234 (電二455) | |
| 106-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 四234 (電二455) | |
| 106-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 四234 (電二455) | |
| 106-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 四234 (電二455) | |
| 106-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3.0 | 2 | 楊志忠 | 四234 (電二455) | |
| 102-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理216) | |
| 102-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理216) | |
| 102-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理216) | |
| 102-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理216) | |
| 102-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理216) | |
| 102-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 三567 (博理216) | |
| 101-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 101-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 101-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 101-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 101-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 101-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 100-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 100-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 100-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 100-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 100-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) | |
| 100-1 | OE5026 | 寬能隙半導體技術 | 3 | 2 | 馮哲川 | 四567 (博理212) |
